Intel e Micron producono una tecnologia di memoria rivoluzionaria

Intel e Micron producono una tecnologia di memoria rivoluzionaria

Una nuova categoria di memoria libera le prestazioni di PC, data center e altro

PUNTI PRINCIPALI

  • Intel e Micron avviano la produzione di una nuova classe di memoria non volatile, creando la prima nuova categoria di memoria da oltre 25 anni.
  • La nuova tecnologia 3D XPoint™ porta le velocità della memoria non volatile a livelli 1.000 volte più veloci  rispetto alla NAND, la memoria non volatile più diffusa oggi disponibile sul mercato.
  • Le aziende hanno inventato composti di materiali esclusivi e un’architettura cross point per una tecnologia di memoria 10 volte più densa rispetto alla memoria convenzionale. 
  • La nuova tecnologia rende possibili nuove innovazioni in applicazioni che vanno dal machine learning al monitoraggio in tempo reale delle malattie e al gaming 8K immersivo.

SANTA CLARA, California, e BOISE, Idaho, 28 luglio 2015 – Intel Corporation e Micron Technology, Inc. svelano la tecnologia 3D XPoint™, una memoria non volatile con le potenzialità per rivoluzionare qualsiasi dispositivo, applicazione o servizio che tragga vantaggio dall’accesso rapido a grandi insiemi di dati. Già in fase di produzione, la tecnologia 3D XPoint rappresenta un notevole passo in avanti nella tecnologia di processo della memoria ed è la prima nuova categoria di memorie dall’introduzione di flash NAND nel 1989.   

La crescita esplosiva di dispositivi connessi e servizi digitali genera enormi quantità di nuovi dati. Affinché risultino utili, tali dati devono essere archiviati e analizzati molto rapidamente, creando così problemi per provider di servizi e integratori di sistemi che devono trovare il giusto compromesso tra costi, consumo energetico e prestazioni quando progettano soluzioni di memoria e di storage. La tecnologia 3D XPoint combina le prestazioni, la densità, il consumo energetico, la non volatilità e i vantaggi in termini di costi di tutte le tecnologie di memoria oggi disponibili sul mercato. Questa tecnologia è fino a 1.000 volte più veloce e ha una durata di fino a 1.000 volte superiore  rispetto a NAND, oltre a una densità 10 volte superiore rispetto alla memoria convenzionale.

“Da diversi decenni si cercano soluzioni nel settore per ridurre il tempo di latenza tra il processore e i dati e per velocizzare l’analisi”, ha spiegato Rob Crooke, Senior Vice President e General Manager del Non-Volatile Memory Solutions Group di Intel. “Questa nuova categoria di memoria non volatile raggiunge questo obiettivo e offre prestazioni rivoluzionarie per le soluzioni di memoria e storage”.

“Uno degli ostacoli più significativi del computing è oggi costituito dal tempo richiesto al processore per accedere ai dati presenti nei dispositivi di storage a lungo termine”, ha commentato Mark Adams, President di Micron. “Questa nuova categoria di memoria non volatile costituisce una tecnologia rivoluzionaria che velocizza l’accesso a enormi insiemi di dati e rende possibili applicazioni interamente nuove”.

Con la rapida crescita del mondo digitale – dai 4,4 zettabyte di dati digitali creati nel 2013 ai 44 zettabyte previsti entro il 2020  – la tecnologia 3D XPoint è in grado di trasformare questa immensa mole di dati in informazioni significative in pochi nanosecondi. I retailer possono ad esempio impiegare la tecnologia 3D XPoint per identificare più rapidamente modelli di rilevamento di frodi nelle transazioni finanziarie, mentre i ricercatori in campo sanitario possono elaborare e analizzare set di dati più ampi in tempo reale, accelerando attività complesse come l’analisi genetica e il monitoraggio delle malattie.

I vantaggi prestazionali della tecnologia 3D XPoint possono inoltre ottimizzare l’esperienza con i PC, consentendo agli utenti di interagire più velocemente con i social media e la collaborazione, oltre ad offrire esperienze più coinvolgenti con i videogame. Grazie alla natura non volatile della memoria, questa tecnologia rappresenta anche la scelta ideale per un’ampia varietà di applicazioni di storage a bassa latenza, perché i dati non vengono cancellati quando il dispositivo viene spento. 

Nuova soluzione e nuova architettura per una tecnologia di memoria rivoluzionaria
Dopo più di dieci anni di attività di ricerca e sviluppo, la tecnologia 3D XPoint è stata realizzata appositamente per rispondere all’esigenza di soluzioni di storage e memoria non volatile ad elevate prestazioni, di lunga durata e ad ampia capacità, oltre che a costi accessibili. Apre le porte una nuova categoria di memoria non volatile destinata a ridurre significativamente le latenze, consentendo di archiviare molti più dati in prossimità del processore e di renderli accessibili a velocità finora impossibili per lo storage non volatile.

L’innovativa architettura cross point senza transistor crea una scacchiera tridimensionale in cui le celle di memoria risiedono all’intersezione di linee di word5 e linee di bit, consentendo l’indirizzamento delle singole celle. Pertanto, i dati possono essere scritti e letti in piccole dimensioni, con conseguenti processi di lettura/scrittura più veloci ed efficienti.

Altri dettagli sulla tecnologia 3D XPoint:

  • Struttura ad array cross point: i conduttori perpendicolari connettono 128 miliardi di celle di memoria ad alta densità. Ogni cella di memoria archivia un singolo bit di dati. Questa struttura compatta comporta elevate prestazioni e alta densità di bit.
  • Celle impilabili: oltre alla struttura compatta ad array cross point, le celle di memoria sono impilate in più strati. La tecnologia iniziale archivia 128 Gb per die su due strati di memoria. Nelle future generazioni, sarà possibile aumentare il numero di strati di memoria, oltre alla tradizionale scalabilità del passo litografico, migliorando ulteriormente la capacità del sistema.
  • Selettore: le celle di memoria sono accessibili e vengono scritte o lette variando l’entità della tensione inviata a ogni selettore. In questo modo si elimina la necessità dei transistor, aumentando la capacità a fronte di una riduzione dei costi.
  • Cella a commutazione rapida: con le dimensioni ridotte delle celle, il selettore di commutazione rapida, l’array cross point a bassa latenza e l’algoritmo di scrittura veloce, la cella è in grado di cambiare stato più rapidamente rispetto a qualsiasi altra tecnologia di memoria non volatile oggi disponibile.

La tecnologia 3D XPoint sarà disponibile in campionatura più avanti nel corso dell’anno presso clienti selezionati, e Intel e Micron stanno sviluppando individualmente prodotti basati su questa tecnologia.

Elementi multimediali:

Per ulteriori informazioni consultate:

  • Cartella stampa – Micron / Intel

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